開關電源進入高效率功率變換時代
電子設備特別是計算機的不時小型化，請求供電電源的體積隨之小型化，因此開關電源開端替代以笨重的工頻變壓器為特征的線性穩(wěn)壓電源，同時電源效率得到明顯進步。電源體積的減小意味著散熱才能的變差，因此請求電源的功耗變小，即在輸出功率不變的前提下，效率必需進步。
高效率功率變換：開關電源設計追求的目的
相同體積的電源的功率耗散根本相同，因而，欲得到更大的輸出功率，必需進步效率，同時，高的電源效率能夠有效地減小功率半導體器件的應力，有利于進步其牢靠性。
開關電源的損耗主要為：無源元件損耗和有源元件損耗
開關損耗不斷困惑著開關電源設計者，由于功率半導體器件在開關過程中，器件上同時存在電流、電壓，因此不可防止地存在開關損耗，假如開關電源中開關管和輸出整流二極管能完成零電壓開關或零電流開關，則其效率能夠明顯進步。
開關過程惹起的開關損耗大致會占總輸入功率的5%～10%，大幅度降低或消弭這一損耗可使開關電源的效率進步5%～10%。最有效的辦法是軟開關技術或零電壓開關或零電流開關技術。
在眾多軟開關的計劃中，比擬適用的有大功率的全橋變換器，通常采用移相零電壓開關的控制方式，這種控制方式請求在初級側需附加一續(xù)流電感以確保開關管在零電壓狀態(tài)下導通，由于較大的有效值電流流過，這個附加電感將發(fā)熱(雖然比RC緩沖電路小得多)，因此在低壓功率變換中并不采用。
無源無損耗緩沖電路的特性是不毀壞常規(guī)PWM控制方式，設計/調試簡單。雖然如此，無源無損耗緩沖電路和準諧振/零電壓開關工作方式也存在一些缺陷，如僅能完成關斷軟開關以及在反激式變換器中不太適于大負載范圍變化。軟開關中有源箝位是進步單管正/反激變換器效率的有效辦法，最初的專利限制如今已失效，能夠普遍應用。
功率半導體器件的進步：高效率功率變換的基本
功率半導體器件的進步特別是PowerMOSFET的進步引發(fā)出功率變換的一系列的進步：PowerMOSFET的極快的開關速度，使開關電源的開關頻率從雙極晶體管的20kHz進步到100kHz以上，有效地減小了無源儲能元件(電感、電容)的體積。低壓PowerMOSFET使低壓同步整流成為理想，器件的導通電壓從肖特基二極管的0.5V左右，降低到同步整流器的0.1V以至更低，使低壓整流器的效率至少進步了10%。高壓PowerMOSFET的導通壓降和開關特性的改善，進步了開關電源的初級效率。功率半導體器件的功耗的降低也使散熱器和整機的體積減小。
電源界有一個不成文的觀念：不穩(wěn)壓的比穩(wěn)壓的效率高、不隔離的比隔離的效率高、窄范圍輸入電壓的比寬范圍輸入的效率高。Vicor的48V輸入電源模塊的效率到達97%。交流輸入開關電源需求功率因數校正，由于功率因數校正已具有穩(wěn)壓功用，在對輸出紋波請求不高的應用(如輸出接有蓄電池或超級電容器)，能夠采用功率因數校正加不調理的隔離變換器電路拓撲，國外在1986年已有產品，效率抵達93%以上。
在DC48V輸入電壓的電源模塊中，效率在93%以上的模塊簡直無一例外地采用前級穩(wěn)壓、后級不調理隔離的計劃，并且將第一級的輸出電容和第二級的輸出電感取消，簡化了電路構造。
國內的很多開關電源在設計上對構造設計的關注相對不夠，有時會呈現電源內的各局部溫升不均，有的中央過熱，有的中央簡直沒有溫升，以至PCB上產生較大的損耗。一個好的開關電源應該是產生熱的元件平均散布在PCB上，而且發(fā)熱元件的溫升根本分歧，PCB應有盡可能小的損耗，這在模塊電源和塑料外殼的Adapter的設計中尤為重要。
效率進步的同時：電源的電磁干擾得到減小
在開關電源的各種損耗中，電磁干擾所產生的損耗，在電源效率高到一定程度后將不容無視。一方面電磁干擾自身耗費能量，特別是電源效率的進步常常需求軟開關技術或零電壓開關或零電流開關技術(無論是特地設置還是電路自身固有)，應用這些技術減緩了開關過程的電壓、電流的變化速率或消弭了開關過程，電磁干擾變得很小，不需求像常規(guī)開關電源電路中需求特地設置抑止電磁干擾的電路(這個電路是存在損耗的)。
開關電源進入：高效率功率變換時期
認真剖析，高效率功率變換看起來是很簡單的，以至有些電路拓撲在20多年前就有引見(如兩級變換拓撲構造，早在UNITRODE82/83年數據手冊的ApplicationNote的AN19中就有引見、TEK2235示波器中也采用了這種功率變換拓撲構造)，但受當時的技術程度，特別是人們認識的限制(總是以為兩級變換的效率比單級低，而事實上兩級變換能夠完成事實上的固有的零電壓開關，單級變換則需求特殊的附加電路和控制方式)而并沒有得到供認和應用。器件的性能和人們認識的進步曾經使兩級變換作為高效率功率變換的主要方式之一。
結語
往常關于開關電源設計工程師和制造廠商而言，先進的功率半導體器件能夠便當得到，先進的電路拓撲和控制方式曾經開端應用，他們所剩下的就是想方法進步本人的技術程度，同時發(fā)明更好的應用時機和市場份額。
高效率功率變換：開關電源設計追求的目的
相同體積的電源的功率耗散根本相同，因而，欲得到更大的輸出功率，必需進步效率，同時，高的電源效率能夠有效地減小功率半導體器件的應力，有利于進步其牢靠性。
開關電源的損耗主要為：無源元件損耗和有源元件損耗
開關損耗不斷困惑著開關電源設計者，由于功率半導體器件在開關過程中，器件上同時存在電流、電壓，因此不可防止地存在開關損耗，假如開關電源中開關管和輸出整流二極管能完成零電壓開關或零電流開關，則其效率能夠明顯進步。
開關過程惹起的開關損耗大致會占總輸入功率的5%～10%，大幅度降低或消弭這一損耗可使開關電源的效率進步5%～10%。最有效的辦法是軟開關技術或零電壓開關或零電流開關技術。
在眾多軟開關的計劃中，比擬適用的有大功率的全橋變換器，通常采用移相零電壓開關的控制方式，這種控制方式請求在初級側需附加一續(xù)流電感以確保開關管在零電壓狀態(tài)下導通，由于較大的有效值電流流過，這個附加電感將發(fā)熱(雖然比RC緩沖電路小得多)，因此在低壓功率變換中并不采用。
無源無損耗緩沖電路的特性是不毀壞常規(guī)PWM控制方式，設計/調試簡單。雖然如此，無源無損耗緩沖電路和準諧振/零電壓開關工作方式也存在一些缺陷，如僅能完成關斷軟開關以及在反激式變換器中不太適于大負載范圍變化。軟開關中有源箝位是進步單管正/反激變換器效率的有效辦法，最初的專利限制如今已失效，能夠普遍應用。
功率半導體器件的進步：高效率功率變換的基本
功率半導體器件的進步特別是PowerMOSFET的進步引發(fā)出功率變換的一系列的進步：PowerMOSFET的極快的開關速度，使開關電源的開關頻率從雙極晶體管的20kHz進步到100kHz以上，有效地減小了無源儲能元件(電感、電容)的體積。低壓PowerMOSFET使低壓同步整流成為理想，器件的導通電壓從肖特基二極管的0.5V左右，降低到同步整流器的0.1V以至更低，使低壓整流器的效率至少進步了10%。高壓PowerMOSFET的導通壓降和開關特性的改善，進步了開關電源的初級效率。功率半導體器件的功耗的降低也使散熱器和整機的體積減小。
電源界有一個不成文的觀念：不穩(wěn)壓的比穩(wěn)壓的效率高、不隔離的比隔離的效率高、窄范圍輸入電壓的比寬范圍輸入的效率高。Vicor的48V輸入電源模塊的效率到達97%。交流輸入開關電源需求功率因數校正，由于功率因數校正已具有穩(wěn)壓功用，在對輸出紋波請求不高的應用(如輸出接有蓄電池或超級電容器)，能夠采用功率因數校正加不調理的隔離變換器電路拓撲，國外在1986年已有產品，效率抵達93%以上。
在DC48V輸入電壓的電源模塊中，效率在93%以上的模塊簡直無一例外地采用前級穩(wěn)壓、后級不調理隔離的計劃，并且將第一級的輸出電容和第二級的輸出電感取消，簡化了電路構造。
國內的很多開關電源在設計上對構造設計的關注相對不夠，有時會呈現電源內的各局部溫升不均，有的中央過熱，有的中央簡直沒有溫升，以至PCB上產生較大的損耗。一個好的開關電源應該是產生熱的元件平均散布在PCB上，而且發(fā)熱元件的溫升根本分歧，PCB應有盡可能小的損耗，這在模塊電源和塑料外殼的Adapter的設計中尤為重要。
效率進步的同時：電源的電磁干擾得到減小
在開關電源的各種損耗中，電磁干擾所產生的損耗，在電源效率高到一定程度后將不容無視。一方面電磁干擾自身耗費能量，特別是電源效率的進步常常需求軟開關技術或零電壓開關或零電流開關技術(無論是特地設置還是電路自身固有)，應用這些技術減緩了開關過程的電壓、電流的變化速率或消弭了開關過程，電磁干擾變得很小，不需求像常規(guī)開關電源電路中需求特地設置抑止電磁干擾的電路(這個電路是存在損耗的)。
開關電源進入：高效率功率變換時期
認真剖析，高效率功率變換看起來是很簡單的，以至有些電路拓撲在20多年前就有引見(如兩級變換拓撲構造，早在UNITRODE82/83年數據手冊的ApplicationNote的AN19中就有引見、TEK2235示波器中也采用了這種功率變換拓撲構造)，但受當時的技術程度，特別是人們認識的限制(總是以為兩級變換的效率比單級低，而事實上兩級變換能夠完成事實上的固有的零電壓開關，單級變換則需求特殊的附加電路和控制方式)而并沒有得到供認和應用。器件的性能和人們認識的進步曾經使兩級變換作為高效率功率變換的主要方式之一。
結語
往常關于開關電源設計工程師和制造廠商而言，先進的功率半導體器件能夠便當得到，先進的電路拓撲和控制方式曾經開端應用，他們所剩下的就是想方法進步本人的技術程度，同時發(fā)明更好的應用時機和市場份額。
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